記憶體時序意思

記憶體時序（Memory Timing）是指電腦內存（RAM）在讀寫數據時所需遵循的一組時序參數，這些參數決定了內存訪問的效率和速度。記憶體時序通常由多個參數組成，包括但不限於以下幾個：

CL（CAS Latency）：這是內存訪問中最關鍵的參數之一，表示從發出命令到內存開始傳輸數據所需的時間。CL值越低，內存的訪問速度就越快。
TRCD（RAS to CAS Delay）：這是指從啟動RAS（Row Address Strobe，行地址選通脈衝）到啟動CAS（Column Address Strobe，列地址選通脈衝）之間的延遲。
TRP（RAS Precharge Time）：這是指在對同一內存行進行第二次訪問之前，需要對RAS進行預充電的時間。
TRAS（RAS Active Time）：這是指內存行保持激活狀態的時間，超過這個時間後，該行將被預充電。
tRC（RAS