摻雜濃度意思

摻雜濃度（Doping Concentration）是指在半導體材料中摻入雜質的量，這些雜質可以改變半導體的電性，使其成為P型半導體或N型半導體。摻雜濃度通常以每立方厘米的雜質原子數來表示，單位可以是10^15/cm^3、10^16/cm^3等。

在半導體製造中，摻雜濃度的選擇取決於器件的電特性需求，例如電晶體的導電性、二極體的導通電壓等。摻雜濃度過高或過低都會影響器件的性能。因此，摻雜濃度的控制是半導體製造中的重要環節。