摻雜是什麼意思

摻雜（doping）是半導體製造中常用的一種技術，用來改變半導體材料的電子和電洞數量，從而改變其電性。摻雜是指在半導體材料中故意加入少量的雜質元素，這些雜質元素的原子質量數與半導體材料的原子質量數相近，但電子的能階不同。

摻雜可以分為兩種類型：

施主（Donor）摻雜：施主摻雜劑的原子價電子數比半導體材料的原子多，這些多餘的電子可以提供給半導體材料，使其成為電子載流子，從而使半導體材料變成n型半導體。例如，在矽中摻雜磷（P）或砷（As）就可以製成n型半導體。
受主（Acceptor）摻雜：受主摻雜劑的原子價電子數比半導體材料的原子少，這些缺少的電子可以從半導體材料中接受，使其成為電洞載流子，從而使半導體材料變成p型半導體。例如，在矽中摻雜硼（B）或鋁（Al）就可以製成p型半導體。

摻雜技術是製造各種半導體器件的重要步驟，如集成電路、太陽能電池、LED等。通過摻雜，可以控制半導體器件的電性，從而實現各種電子功能。